Samsung Acelera o Futuro da IA com Memórias V10 BV-NAND e zHBM: Desempenho e Eficiência para a Próxima Geração de Processamento
No evento Future of Memory and Storage 2026, a gigante sul-coreana revelou inovações que prometem revolucionar data centers e dispositivos, desde armazenamento flash de 400 camadas até memórias empilhadas diretamente sobre aceleradores de inteligência artificial.
A Samsung aproveitou a edição de 2026 do evento Future of Memory and Storage, realizado nos Estados Unidos, para destacar que o avanço da inteligência artificial está intrinsecamente ligado a novas arquiteturas de memória. Mais de uma década após introduzir a tecnologia V-NAND, a fabricante sul-coreana apresenta sua 10ª geração de armazenamento flash, a V10 BV-NAND, e conceitos inovadores que visam impulsionar a infraestrutura de IA.
V10 BV-NAND: A Nova Era do Armazenamento Flash
O grande destaque no segmento de armazenamento denso é a arquitetura V10 BV-NAND (Bonding V-NAND). Esta é a primeira memória flash da indústria a superar a marca de 400 camadas empilhadas, um feito alcançado por meio de uma nova tecnologia de fusão de wafers. Esse avanço resultou em um aumento de aproximadamente 58% na densidade de armazenamento em comparação com a geração V9 anterior. Além da capacidade expandida, a V10 oferece melhorias significativas nas taxas de leitura, escrita e I/O, enquanto consome consideravelmente menos energia – um fator crucial para servidores de nuvem que processam volumes massivos de dados.
zHBM: Redefinindo a Memória para Aceleradores de IA
A grande inovação para o processamento de inteligência artificial veio com a revelação do modelo conceitual da memória zHBM. Diferente das memórias de alta largura de banda (HBM) tradicionais, que são posicionadas lado a lado com o processador na placa, a zHBM empilha os chips de memória verticalmente, diretamente sobre os aceleradores de IA. Essa abordagem elimina a distância percorrida pelos sinais elétricos, minimizando gargalos de transferência. A Samsung estima que essa arquitetura pode atingir cerca de 8 vezes o desempenho da futura HBM5, multiplicar a densidade em 10 vezes e triplicar a eficiência energética, ao mesmo tempo em que reduz a resistência térmica pela metade.
Inovações para Edge AI e Processamento no Dispositivo
Para o cenário da Edge AI (inteligência artificial em dispositivos de ponta), a Samsung também apresentou a zNAND-O, uma solução flash de baixíssima latência disponível em versões de quatro e oito camadas. Outra inovação destacada é a LPDDR5X-PIM (Processing-In-Memory), uma memória que integra a capacidade de processamento diretamente em seus chips de RAM. Essa tecnologia alivia a carga sobre a CPU principal e acelera a execução de modelos de linguagem diretamente nos dispositivos, prometendo maior agilidade e eficiência para aplicações de IA embarcadas.
Enquanto a Samsung impulsiona essas inovações especificamente para o mercado de data centers e dispositivos com foco em IA, a empresa mantém sua liderança no mercado de DRAM, mesmo com o crescimento exponencial de outros players no setor.
Fonte: canaltech.com.br